MOSFET ON Semiconductor FQP30N06 1, canale N, TO-2
3,05 € Iva inclusa

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MOSFET ON Semiconductor FQP30N06 1, canale N, TO-2
MOSFET a canale N QFET®, da 11 a 30 A, Fairchild Semiconductor
I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di a
COD: 319814
COD.MEPA: 319814CS

Descrizione

MOSFET a canale N QFET®, da 11 a 30 A, Fairchild Semiconductor
I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.
Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.

Transistor MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild offre un portfolio consistente di dispositivi MOSFET che include tipi ad alta tensione (>250 V) e bassa tensione (<250 V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
I MOSFET Fairchild offrono una maggiore affidabilità del design che si estende da sovratensioni e picchi di tensione ridotti, a una minore capacità di giunzione e carica di recupero inverso, all'eliminazione di ulteriori componenti esterni per mantenere i sistemi aggiornati e prolungarne il funzionamento.
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Il prodotto non è presso il nostro magazzino e i tempi di consegna dipendono dal nostro fornitore: contattaci per dei tempi di consegna più precisi Su ordinazione:
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MOSFET a canale N QFET®, da 11 a 30 A, Fairchild Semiconductor
I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.
Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.

Transistor MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild offre un portfolio consistente di dispositivi MOSFET che include tipi ad alta tensione (>250 V) e bassa tensione (<250 V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
I MOSFET Fairchild offrono una maggiore affidabilità del design che si estende da sovratensioni e picchi di tensione ridotti, a una minore capacità di giunzione e carica di recupero inverso, all'eliminazione di ulteriori componenti esterni per mantenere i sistemi aggiornati e prolungarne il funzionamento.

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